7月27日登录资本市场的长鑫科技，迎来全球投资者的关注。
腾讯财经获悉，就在7月24日，高盛紧急召开“中国存储专家电话会”，围绕中国DRAM产能扩张、产品研发进展及全球存储价格走势三大议题展开深度讨论。该专家曾任长鑫存储（CXMT）高级总监（2020年7月至2024年8月），负责市场营销与销售业务；2000年1月至2018年3月，他在三星电子担任总监，任职长达18年。
尽管长鑫并不能量产AI大厂紧缺的HBM（高带宽存储），但由于头部海外厂商优先把晶圆产能倾斜给高毛利 HBM，反而导致消费级、通用DRAM价格暴涨，早已让长鑫赚得盆满钵满：一季度全球 DRAM 收入份额达到 8%，单季收入同比暴涨 719%。IPO融资后，长鑫不仅将扩产DRAM，更将向HBM等技术进发。
产能：2030年行业龙头 有望较当前水平翻倍专家对中国本土DRAM供应商的产能扩张前景持积极态度。他判断，到2030年，国内行业龙头年产能有望较目前翻倍以上。
产能扩张布局覆盖合肥、上海、北京三地，预计均在2028年前全面投产；此外，一处超大型基地将于2028年后开始贡献产能，进一步驱动国产DRAM供给持续攀升。
值得关注的是，新增DRAM产能不仅采购国际一线设备，也在加速引入国产半导体设备，部分工厂在光刻机以外的环节已主要采用本土设备——这为国产设备供应商打开了历史性的渗透窗口。
也正因如此，高盛核心判断是，中国DRAM产能扩张不可逆，国产设备替代加速是确定性主线。无论长鑫存储等厂商扩产进度如何，北方华创、中微、盛美等本土SPE供应商均是直接受益方——产能越扩，设备订单越多，国产化率越高，这条逻辑不依赖任何单一客户的成败。
产品：HBM3目标明确 3D DRAM 2027年有望突破专家指出，中国本土DRAM龙头的产品技术在持续迭代，工艺升级带动产品性能较去年有所进步，但与三星、SK海力士等全球一线厂商相比仍存在差距（如读写速度相对较慢）。
⦁HBM3及HBM3E量产是本土龙头2026年的明确目标；
⦁受制于EUV极紫外光刻设备的出口管制，国内厂商需借助DUV（深紫外光刻）及其他创新工艺路线开发高端产品；
⦁专家预判，3D DRAM有望在2027年实现产品研发新突破，为绕过EUV限制提供可行路径。
价格：三四季度涨幅趋缓 2027年仍看涨在定价方面，专家认为国产DRAM价格已接近全球一线厂商水平（尽管良品率相对偏低）。
价格走势判断：
⦁三四季度由于智能手机品牌商对成本上涨的抵制，DRAM价格涨幅将较上半年有所收窄；
⦁但中国及海外市场的AI需求依然强劲，支撑2027年存储价格持续上行；
⦁全球一线存储厂商近期不会将HBM产能切回传统DRAM，AI需求强度决定了HBM供给不会松动；
⦁存储厂商与客户之间长期合同占比将进一步提升，有助于价格中枢趋于稳定。
在机构看来，长鑫存储上市不只是一个IPO事件，更是中国半导体“国产自主”从概念走向商业落地的里程碑。本土存储及先进逻辑供应商逐步满足国内云服务商（CSP）生成式AI需求，对整条“中国为中国”半导体供应链构成积极利好——覆盖晶圆代工、半导体设备、材料、零部件、IP及芯片设计各环节。
本文来源：腾讯财经
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